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  艾华（无锡）半导体申请等离子增强空间型原子层沉积设备专利，有效控制硅片表面镀膜厚度

  2025-04-05 11:14:00

  金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“一种等离子增强空间型原子层沉积设备”的专利，公开号 CN 119753634 A，申请日期为 2024年12月。专利摘要显示，本发明是一种等离子增强空间型原子层沉积设备，在工艺腔内安装多个匀流单元组成的